比利时微电子研究中心（imec）日前发布了2026年制程技术蓝图，预计到2038年将实现0.3nm等级的制程技术，其中互补式场效电晶体（CFET）结构将成为关键。

该蓝图由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星以及ASML等公司共同制定，体现了未来几年芯片制造面对的挑战与规划。根据台媒《经济日报》的报道，这一最新技术蓝图的公布意味着摩尔定律将继续推进，台积电已经开始投入CFET结构电晶体的WhatsApp网页版开发，保持行业领先地位。

目前，半导体制程已达到2nm等级，电晶体闸极接触间距（CPP）约为48nm。未来在发展A14等级制程时，CPP预计会缩小至45nm。但在2030年发展至A10制程（约1nm）后，CPP将固定在42nm，表明传统摩尔定律将面临挑战，依靠不断缩小CPP提高电晶体密度的方法将逐渐达到极限。

imec指出，未来的关键转折之一可能是WhatsApp在2033年量产的0.7nm等级制程，这将可能采用CFET架构，即将n型电晶体与p型电晶体进行垂直堆叠，取代传统的并排配置。该架构将增加电晶体的第三维度，更有效地利用空间。

如此一来，CFET有望成为继鳍式场效电晶体（FinFET）和环绕式闸极电晶体（GAA）之后的下一个主流半导体电晶体结构，通过降低单元高度与垂直整合来提升电晶体密度。

文章来源：https://tech.sina.com.cn/digi/2026-07-03/doc-inifkqha5979438.shtml